碳化硅生产设备

2020-06-12T01:06:41+00:00

2025市场达200亿，碳化硅关键设备企业迎历史机遇知乎

2023年11月12日宇晶股份近日在调研中表示，公司加大对碳化硅切、磨、抛关键技术的攻克，设备的精度已经达到行业一流水平，公司生产的碳化硅切割、研磨、抛光设备主要 2020年10月21日以碳化硅MOSFET工艺为例，整线关键工艺设备共22种。 1碳化硅晶体生长及加工关键设备主要包括: 碳化硅粉料合成设备用于制备生长碳化硅单晶所需的碳化硅粉料,高质量的碳化硅粉料在后续的碳化硅生首片国产 6 英寸碳化硅晶圆发布，有哪些工艺设备？有 2022年1月4日碳化硅3个常识点：1、碳化硅领域在车载功率器件、光伏逆变器领域快速起量，赛道成长速度快！2、碳化硅目前供需情况是一片难求，核心点是上游长晶环节衬底碳化硅（SiC）设备和工艺情况跟踪！投资不易，同志仍需

中国碳化硅产业链全景图，附30家企业汇总知乎

2023年5月8日中电科半导体材料公司旗下的山西烁科晶体有限公司的保障部经理周立平介绍：“碳化硅产业基地一期的300台单晶生产设备，具备年产75万片碳化硅单晶衬底的产能，年收入在3亿元以上。项目建成后，将 2023年2月4日设备：已经成功开发出碳化硅长晶炉、抛光机、外延等设备。碳化硅外延设备已通过客户验证。普兴电子用了晶盛机电的2~3台设备，三安光电也有向晶盛机电下跌。。202324：成功发布6英寸双片式SiC碳碳化硅产业链深度解析（全网最全独家）碳化硅产业链 2023年5月21日由于SiC工艺的特殊性，传统用于Si基功率器件制备的设备已不能满足需求，需要增加一些专用的设备作为支撑，如材料制备中的碳化硅单晶生长炉、金刚线多线切割机设备，芯片制程中的高温高能离子注造一颗SiC芯片，需要哪些关键设备？工艺碳化硅中国

产业加速扩张之下，碳化硅设备成入局“香饽饽”腾讯新闻

2022年12月15日中电科48所陆续开发出碳化硅外延设备、高温高能离子注入机、高温激活炉、高温氧化炉，并持续研发第二代、第三代机型，截至目前，其碳化硅设备已在生产 2021年10月15日 01 已有产线（排名不分先后）泰科天润泰科天润总部坐落于北京，在北京和湖南分别拥有4英寸和6英寸碳化硅半导体工艺晶圆生产线。据泰科天润近日发布消息，目前生产线已通线，进入试生产阶段，本土超20条碳化硅晶圆产线大盘点！知乎专栏2023 年 02 月 26 日机械设备关注碳化硅设备国产化突破和加速 —— 行业周报机械设备沪深碳化硅是制作大功率、高频、低损耗功率器件的最佳材料 300 与硅基半导体材料相行业研机械设备关注碳化硅设备国产化突破和加速究 2023

碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源需求兴起，国产

2022年3月22日掌握了碳化硅晶片生产的“设备研制—原料合成—晶体生长—晶体切割—晶片加工—清洗检测”全流程关键技术和工艺。2020 年 8 月 17，公司碳化硅 2023年7月17日半导体硅片生产工序流程与光伏硅片相似，但不同之处在于： 1）光伏长晶炉在整线中价值量占比超过 80%，而半导体硅片设备中单晶炉、切磨抛设备、外延炉在整线中价值量占比均较高； 2）由于技术壁垒较高，半导体硅片单台价值量远高于光伏。长晶工晶盛机电:迈向半导体+碳化硅设备龙头,设备+零部件布局铸造 2022年8月25日全球的器件制造商正在加强碳化硅（SiC）的制造，增长将在2024年开始真正起飞。自特斯拉和意法半导体在Model 3中使用碳化硅以来，已经过去了近五年时间。现在，没有人怀疑电动汽车的市场拉动力，但消费者仍然在吵着要更好的续航能力和更快的充电。SiC发展神速设备XFab碳化硅

碳化硅产品的应用方向和生产过程知乎

2022年3月7日来源：《拆解PVT生长碳化硅的技术点》工艺的不同导致碳化硅长晶环节相比硅基而言主要有两大劣势。生产难度大，良率较低。碳化硅气相生长的温度在2300℃以上，压力350MPa，全程暗箱进行，易混入杂质，良率低于硅基，直径越大，良率越低。2022年12月15日在外延设备方面，晶盛机电表示，公司生产的SiC碳化硅外延设备为公司独立研发设计和生产制造，核心技术均拥有独立的知识产权，目前已实现批量销售。季华实验室也在4月表示，由季华实验室大功率半导体研究团队自主研发的6英寸SiC高温外延产业加速扩张之下，碳化硅设备成入局“香饽饽”腾讯新闻2020年10月19日设备方面：碳化硅生产的高端设备，基本掌握在欧美手中。国内核心设备正在加紧国产化。但检测设备与国内其他行业的同类产品一样，是非常大的短板。笔者认为，第三代半导体的国产化比第二代半导体要稍微乐观一些小议碳化硅的国产化知乎

碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源需求兴起，国产替代有

2022年3月2日碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源需求兴起，国产替代有望突破 1 SiC 碳化硅：产业化黄金时代已来；衬底为产业链核心 11 SiC 特点：第三代半导体之星，高压、高功率应用场景下性能优越半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料。核心分 2019年9月5日碳化硅功率器件生产过程衬底方面：通常用Lely法制造，国际主流产品正从4英寸向6英寸过渡，且已经开发出8英寸导电型衬底产品，国内衬底以4英寸为主，质量相对薄弱，主要用于生产10A以下小电流产品，目前单晶生长缓慢且品质不够稳定是碳化硅价格高、市场推广慢的重要原因。第三代半导体发展之碳化硅（SiC）篇知乎2022年9月6日四、碳化硅产业现状 1、中国碳化硅产量分为黑碳化硅和绿碳化硅，2020年中国黑碳化硅产量为75万吨，绿碳化硅产量为105万吨，2021年中国黑碳化硅产量为90万吨，绿碳化硅为11万吨，产量相继上涨。说明我国碳化硅行业发展前景及需求量较为良好。 20202021年碳化硅行业发展现状如何？一文读懂碳化硅产量、良率及进出口

碳化硅 ~ 制备难点知乎

2023年3月13日晶体制备由于物理的特性，碳化硅材料拥有很高的硬度，目前仅次于金刚石，因此在生产上势必要在高温与高压的条件下才能生产。以PVT法为例，碳化硅晶体制备面临以下困难：温场控制困难、生产速度缓慢：以目前的主流制备方法物理气相传输 2023年4月26日碳化硅设备行业深度报告：多技术并行，衬底切片设备加速国产化 1 碳化硅高性能+低损耗，产业化受制于衬底产能 11 半导体材料更迭四代，宽禁带材料突破瓶颈在高性能和低能耗半导体器件驱动下，半碳化硅设备行业深度报告：多技术并行，衬底切片设备 2023年6月28日国产设备也在突进。据纳设智能CEO陈炳安介绍，碳化硅外延生产成本约占碳化硅器件总体成本的23%。现阶段，碳化硅外延的制备方法主要以化学气相沉积（CVD）为主，纳设智能开发了自主创新的碳化硅外延CVD设备，该设备的耗材成本、维护频率都较低。碳化硅“风起”：海外巨头忙扩产能、国内产业链急追腾讯网

2025市场达200亿，碳化硅关键设备企业迎历史机遇产能

2023年11月12日虽然碳化硅产能扩建一片红红火火，但想要大规模起量乃至获得高额收益，至少要等到2025年以后了，如今都不过是在烧钱布局罢了，最先从中受益的反而是设备厂商，由于碳化硅的扩建扩产，相关设备市场皆呈现供不应求的状态，Insemi预计2025年碳化 2023年8月19日在国产外延设备方面，北方华创、晶盛机电等企业开始小批量生产碳化硅外延设备，且当下存在发展的良机。一是目前国内外延片的制备受限于设备交付环节（疫情等原因），无法快速放量，主流碳化硅高温外延设备交付周期普遍在152年以上。为什么碳化硅要用外延，而不是直接切一片厚的晶圆？知乎2021年12月5日本文首发自公众号：价值盐选今天我们分析一下半导体产业链，这条产业链分为很多环节，比如材料、设备、芯片设计、芯片制造、封装测试。我们先来分析其中一种材料，叫做碳化硅 SiC。 01 SiC 基本情况及产业链这个碳化硅是第三代半导体材料，第碳化硅产业链最全分析知乎

碳化硅“狂飙”：追赶、内卷、替代碳化硅新浪财经新浪网

2023年6月30日碳化硅晶圆制造设备：除了SiC衬底外，晶圆制造难是国产SiC MOSFET尚未应用于主驱的关键所在，未来国产SiC芯片扩产也会受到关键设备的牵制。2023年1月4日制作碳化硅器件的大部分设备与传统硅的生产设备相同，但由于碳化硅材料硬度高、熔点高等特性，需要一些特殊的生产设备与工艺。 SiC所需的特定设备包括高温退火炉、高温离子注入机、SiC减薄设备、背面金属沉积设备、背面激光退火设备、SiC沉底和外延片表面缺陷检测和计量设备等。第三代半导体SiC产业链及市场应用研究碳化硅材料高温2020年6月16日半导体制造之设备篇半导体需要的设备比较繁杂，在晶圆制造中，由于光刻、刻蚀、沉积等流程在芯片生产过程中需要20到50次的反复制作，是芯片前端加工过程的三大核心技术，其设备价值也最高，但半导体制造设备远远不止这些，本文将一一比较国产化半导体制造之设备篇：国产、进口设备大对比知乎

碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源需求兴起，国产替代有

2022年3月2日 43 露笑科技：碳化硅布局国内领先，定增扩产 24 万片导电型衬底产能公司成立于 2003 年，为国内较大的专业漆包线生产商之一、及国内领先的蓝宝石长晶炉生产厂商。依托于蓝宝石业务的积累，向碳化硅“设备——衬底——外延”的全产业链延伸。2021年8月16日碳化硅器件产业链主要由上游衬底材料及外延、中游器件制造、下游应用，以及各环节所用设备构成。目前产业的参与者主要以两类海外厂商为主： 1、传统功率半导体龙头：英飞凌（欧洲）、意法半导体（欧洲）、三菱电机（日本）、安森美（美国）、瑞萨电子（日本）、罗姆（日本）等。第三代半导体之碳化硅：中国半导体的黄金时代知乎2023年10月27日根据公告，新的SiC制造厂计划于2025年完成阶段性建设并逐步投产，2028年达产，规划达产后生产8寸碳化硅晶圆4万片/月。国泰君安碳化硅设备行业深度报告：多技术并行，碳化硅衬底切片设备加速国产化国金证券半导体行业年度报告（深度碳化硅（SiC）行业深度：市场空间、未来展望、产业链及相关

碳化硅的合成、用途及制品制造工艺

2020年6月10日碳化硅是用天然硅石、碳、木屑、工业盐作基本合成原料，在电阻炉中加热反应合成。其中加入木屑是为了使块状混合物在高温下形成多孔性，便于反应产生的大量气体及挥发物从中排除，避免发生爆炸，因为合成IT碳化硅，将会生产约14t的一氧化碳 (CO 2020年12月8日 01 切割切割是将SiC晶棒沿着一定的方向切割成晶体薄片的过程。将SiC晶棒切割成翘曲度小、厚度均匀、低切损的晶片，对于后续的研磨和抛光至关重要。与传统的内圆、外圆切割相比，多线切割具有大切削速度、高加工精度、高效率和较长的寿命等工艺详解碳化硅晶片的工艺流程知乎2023年10月19日根据 SEMI 国际半导体产业协会数据，晶圆厂建设推动半导体设备总销售额连续两年突破1000亿美元大关，2022年全球半导体设备总销售额约1085亿美元，创下历史新高，多个市场的新兴应用为未来十年半导体行业的显著增长设定了预期目标，这需要进一步加大投资以扩充产能。碳化硅材料零部件广泛应用于外延生长、氧化/扩散/退火等设备

【详解】华为认为中高压SiC器件成熟在即相关仪器设备需求

2021年1月14日半导体制造离不开半导体设备，碳化硅产业链更是如此，其涉及的设备种类繁多。碳化硅的很多工艺段设备可以与硅基半导体工艺兼容，但由于宽禁带半导体材料熔点较高、硬度较大、热导率较高、键能较强的特殊性质，使得部分工艺段需要使用专用设备、部分需要在硅设备基础上加以改进。2023年6月28日此外，晶盛机电最新还宣布研发出具有国际先进水平的8英寸单片式碳化硅外延生长设备，可兼容6、8寸碳化硅外延生产。即便碳化硅产业当前主流仍国产碳化硅进击8英寸工艺节点最佳“掘金”窗口期步入倒计时 2021年7月21日碳化硅，第三代半导体时代的中国机会 5G通信、电动汽车等新兴产业对碳化硅材料将产生巨大需求，大力发展碳化硅产业，可引领带动原材料与设备两个千亿级产业，助力我国加快向高端材料、高端设备制造业转型发展的步伐。今年发布的“‘十四五’规划和碳化硅，第三代半导体时代的中国机会国家自然科学基金

行业研机械设备关注碳化硅设备国产化突破和加速究 2023

2023年2月26日《工业母机、碳化硅设备国产化再迎利好—行业周报》2023212 《制造业基础核心部件、底层软件高端自主化战略意义提升—行业点评报告》202327 证关注碳化硅设备国产化突破和加速 ——行业周报孟鹏飞（分析师）熊亚威（分析师） 2022年7月11日 1、碳化硅产业上市公司汇总碳化硅行业在产业链中处于中上游环节，下游主要服务于新能源汽车、5G通信等行业，以满足产业需求。在碳化硅芯片制造环节，天岳先进是碳化硅行业的主要企业之一，围绕碳化硅衬底进行垂直深入的研究与生产。注：5颗星为【全网最全】 2022年中国碳化硅行业上市公司全方位对比(附 2021年3月9日 1月3日，泰科天润在湖南省浏阳经开区建成了一条全新6英寸碳化硅功率芯片量产线，90%的生产设备已经到位，正开足马力进行调试，即将投产。露笑科技将在安徽省双凤经开区投资100亿元，建设第三代半导体(碳化硅)产业园项目，一期总投资21亿元。2020年11月28日露笑集团与安徽双凤经开区签订了土地三安160亿、露笑100亿、斯达35亿9家企业公布碳化硅新动作

预见2022：《2022年中国碳化硅行业全景图谱》(附市场规模

2022年7月17日碳化硅（SiC）行业分析报告：碳化硅(SiC)是一种无机物，其是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料通过电阻炉高温冶炼而成。目前已发现的SiC同质异型晶体结构有200多种，其中六方结构的4H型SiC(4HSiC)具有高临界碳化硅，第三代半导体时代的中国机会 08:57:31 来源：科技日报 5G通信、电动汽车等新兴产业对碳化硅材料将产生巨大需求，大力发展碳化硅产业，可引领带动原材料与设备两个千亿级产业，助力我国加快向高端材料、高端设备制造业转型发展的步伐碳化硅，第三代半导体时代的中国机会新华网2023年3月26日而国外对碳化硅高端设备及产品进行技术封锁，碳化硅衬底的产能缺口巨大。为推动我国第三代半导体装备及材料产业链自主可控，哈尔滨工业大学教授赵丽丽于2018年带领技术团队成立科友半导体，依托打造第三代半导体碳化硅材料全产业链科友关键装备

碳化硅龙头忙扩产，市场将迎来高峰？腾讯新闻

2023年8月5日碳化硅是一种宽禁带半导体衬底，是电动汽车等高温、大功率应用的理想材料，但生产难度极大。由于生产商数量有限，而基于碳化硅的设计需求巨大，原始设备制造商和汽车供应商越来越希望锁定可靠的长期供应。2023年3月20日 2022年4月，天域半导体发布将建设全球首条8英寸碳化硅外延晶片生产线，项目计划2022年动工，预计2025年竣工并投产。 2022年5月，中国科学院物理研究所陈小龙研究团队宣布，已成功研制出单一4H晶型的8英寸SiC晶体，晶坯厚度接近196 mm，同时加工出了厚度约2mm的8英寸SiC晶片，相关工作已申请了三新突破！厦门大学成功实现8英寸 SiC 同质外延生长碳化硅 2023年6月28日碳化硅全产业链作为第三代半导体材料，碳化硅相较于硅材料，具有大禁带宽度、高击穿电场、高饱和电子漂移速度、高热导率、高抗辐射等特点，适合制造高温、高压、高频、大功率的器件。当前从光伏到新能源汽车，碳化硅下游市场需求旺盛，特别是随碳化硅“狂飙”：追赶、内卷、替代产业链碳化硅器件新浪新闻

产业加速扩张之下，碳化硅设备成入局“香饽饽”半导体晶炉

2022年12月15日在外延设备方面，晶盛机电表示，公司生产的SiC碳化硅外延设备为公司独立研发设计和生产制造，核心技术均拥有独立的知识产权，目前已实现批量销售。季华实验室也在4月表示，由季华实验室大功率半导体研究团队自主研发的6英寸SiC高温外延 2021年12月3日 “合肥工厂的产能规划是先以50台6英寸炉子（碳化硅衬底生产设备，属于长晶设备）为一个单元，到年底会根据市场销售的订单，每三个月增加一个（单元）。三个月我就能把炉子安装调试好，即三个月为一个周期。安装调试完毕，正式拿到订单露笑科技“豪赌”碳化硅，工厂已建成，谁持“核心专利”依然 2023年10月24日《科创板日报》10月24日讯（记者郭辉）三安光电宣布，旗下子公司湖南三安8英寸碳化硅衬底已完成开发，产品进入小批量生产及送样阶段。据介绍，湖南三安依托精准热场控制的自主PVT工艺，8英寸碳化硅衬底实现更低成本及更低缺陷密度，后续将持续提升良率，加快设备调试与工艺优化，并持续国产8英寸碳化硅量产加速！行业龙头频频联手国际功率半导

碳化硅衬底市场群雄逐鹿碳化硅衬底制备环节流程知乎

2023年3月28日碳化硅按衬底制备方式以及面向的下游应用分可为两种类型。一种是通过生长碳化硅同质外延，下游用于新能源汽车、光伏、工控、轨交等功率领域的导电型衬底，外延层上制造各类功率器件；另一种是通过生长氮化镓异质外延，下游应用于5G通讯、国防等射频领域的半绝缘型衬底，主要用于制造 2022年3月22日掌握了碳化硅晶片生产的“设备研制—原料合成—晶体生长—晶体切割—晶片加工—清洗检测”全流程关键技术和工艺。2020 年 8 月 17，公司碳化硅碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源需求兴起，国产 2023年7月17日半导体硅片生产工序流程与光伏硅片相似，但不同之处在于： 1）光伏长晶炉在整线中价值量占比超过 80%，而半导体硅片设备中单晶炉、切磨抛设备、外延炉在整线中价值量占比均较高； 2）由于技术壁垒较高，半导体硅片单台价值量远高于光伏。长晶工晶盛机电:迈向半导体+碳化硅设备龙头,设备+零部件布局铸造

SiC发展神速设备XFab碳化硅

2022年8月25日全球的器件制造商正在加强碳化硅（SiC）的制造，增长将在2024年开始真正起飞。自特斯拉和意法半导体在Model 3中使用碳化硅以来，已经过去了近五年时间。现在，没有人怀疑电动汽车的市场拉动力，但消费者仍然在吵着要更好的续航能力和更快的充电。2022年3月7日来源：《拆解PVT生长碳化硅的技术点》工艺的不同导致碳化硅长晶环节相比硅基而言主要有两大劣势。生产难度大，良率较低。碳化硅气相生长的温度在2300℃以上，压力350MPa，全程暗箱进行，易混入杂质，良率低于硅基，直径越大，良率越低。碳化硅产品的应用方向和生产过程知乎2022年12月15日在外延设备方面，晶盛机电表示，公司生产的SiC碳化硅外延设备为公司独立研发设计和生产制造，核心技术均拥有独立的知识产权，目前已实现批量销售。季华实验室也在4月表示，由季华实验室大功率半导体研究团队自主研发的6英寸SiC高温外延产业加速扩张之下，碳化硅设备成入局“香饽饽”腾讯新闻

小议碳化硅的国产化知乎

2020年10月19日设备方面：碳化硅生产的高端设备，基本掌握在欧美手中。国内核心设备正在加紧国产化。但检测设备与国内其他行业的同类产品一样，是非常大的短板。笔者认为，第三代半导体的国产化比第二代半导体要稍微乐观一些 2022年3月2日碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源需求兴起，国产替代有望突破 1 SiC 碳化硅：产业化黄金时代已来；衬底为产业链核心 11 SiC 特点：第三代半导体之星，高压、高功率应用场景下性能优越半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料。核心分碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源需求兴起，国产替代有 2019年9月5日碳化硅功率器件生产过程衬底方面：通常用Lely法制造，国际主流产品正从4英寸向6英寸过渡，且已经开发出8英寸导电型衬底产品，国内衬底以4英寸为主，质量相对薄弱，主要用于生产10A以下小电流产品，目前单晶生长缓慢且品质不够稳定是碳化硅价格高、市场推广慢的重要原因。第三代半导体发展之碳化硅（SiC）篇知乎

碳化硅行业发展现状如何？一文读懂碳化硅产量、良率及进出口

2022年9月6日四、碳化硅产业现状 1、中国碳化硅产量分为黑碳化硅和绿碳化硅，2020年中国黑碳化硅产量为75万吨，绿碳化硅产量为105万吨，2021年中国黑碳化硅产量为90万吨，绿碳化硅为11万吨，产量相继上涨。说明我国碳化硅行业发展前景及需求量较为良好。 20202021年 2023年3月13日晶体制备由于物理的特性，碳化硅材料拥有很高的硬度，目前仅次于金刚石，因此在生产上势必要在高温与高压的条件下才能生产。以PVT法为例，碳化硅晶体制备面临以下困难：温场控制困难、生产速度缓慢：以目前的主流制备方法物理气相传输碳化硅 ~ 制备难点知乎